Name: SSM6K819R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K819RLFTR-ND
Price: 4.9077 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6K819R,LF
Numer produktu DigiKey	264-SSM6K819RLFTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-SSM6K819RLFCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-SSM6K819RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6K819R,LF
Opis	N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 10A (Ta) 1,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-TSOP-F
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 8.5 nC @ 4.5 V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1110 pF @ 15 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,5W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 175°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Klasa Motoryzacja
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Kwalifikacja AEC-Q101
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 10A (Ta)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4,5V, 10V	Obudowa dostawcy urządzenia 6-TSOP-F
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 25,8mOhm przy 4A, 10V	Obudowa / skrzynia 6-SMD, odprowadzenia płaskie
Vgs(th) (maks.) przy Id 2,5V przy 100µA	Bazowy numer produktu SSM6K819

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 7 602

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)