Name: SSM6K819R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K819RLFTR-ND
Price: 4.7232 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6K819R,LF
Numer produktu DigiKey	264-SSM6K819RLFTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-SSM6K819RLFCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-SSM6K819RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6K819R,LF
Opis	N-CH MOSFET, 100 V, 10 A, 0.0258
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 10A (Ta) 1,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-TSOP-F
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	10A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	25,8mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2,5V przy 100µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.5 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1110 pF @ 15 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,5W (Ta)
Temperatura robocza	175°C
Klasa	Motoryzacja
Kwalifikacja	AEC-Q101
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	6-TSOP-F
Obudowa / skrzynia	6-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	SSM6K819