Name: SSM6K517NU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6K517NULFTR-ND
Price: 3.1365 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6K517NU,LF
Numer produktu DigiKey	264-SSM6K517NULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-SSM6K517NULFCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-SSM6K517NULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6K517NU,LF
Opis	MOSFET N-CH 30V 6A 6UDFNB
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 6A (Ta) 1,25W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-UDFNB (2x2)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6K517NU,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 3.2 nC @ 4.5 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) +12V, -8V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 310 pF @ 15 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 1,25W (Ta)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza 150°C
Napięcie dren-źródło (Vdss) 30 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 6A (Ta)	Obudowa dostawcy urządzenia 6-UDFNB (2x2)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,8V, 4,5V	Obudowa / skrzynia 6-WDFN podkładka odsłonięta
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 39,1mOhm przy 2A, 4,5V	Bazowy numer produktu SSM6K517

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 2 880

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)