Name: SSM6K403TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM6K403TULFTR-ND
Price: 2.8659 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6K403TU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM6K403TULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM6K403TULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM6K403TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6K403TU,LF
Opis	MOSFET N-CH 20V 4.2A UF6
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 4,2A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy UF6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM6K403TU,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 16.8 nC @ 4 V
Seria U-MOSIII	Vgs (maks.) ±10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1050 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 500mW (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia UF6
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 4,2A (Ta)	Obudowa / skrzynia 6-SMD, odprowadzenia płaskie
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4V	Bazowy numer produktu SSM6K403
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 28mOhm przy 3A, 4V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 5 855

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)