Name: SSM6J825R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-SSM6J825RLFTR-ND
Price: 2.5707 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM6J825R,LF
Numer produktu DigiKey	264-SSM6J825RLFTR-ND - Taśma i szpula (TR) 264-SSM6J825RLFCT-ND - Taśma cięta (CT) 264-SSM6J825RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM6J825R,LF
Opis	P-CH MOSFET -30V, -20/+10V, -4A
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 4A (Ta) 1,5W (Ta) Montaż powierzchniowy 6-TSOP-F
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	4A (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	45mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	2V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6.2 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	+10V, -20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	492 pF @ 10 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	1,5W (Ta)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	6-TSOP-F
Obudowa / skrzynia	6-SMD, odprowadzenia płaskie
Bazowy numer produktu	SSM6J825

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 5 896

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)