Kanał N 60 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Montaż powierzchniowy USM
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
Kanał N 60 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Montaż powierzchniowy USM
USM-SSM3K

SSM3K7002BSU,LF

Numer produktu DigiKey
SSM3K7002BSULFTR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent
Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta
SSM3K7002BSU,LF
Opis
MOSFET N-CH 60V 200MA USM
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 60 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Montaż powierzchniowy USM
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Toshiba Semiconductor and Storage
Seria
-
Opakowanie
Taśma i szpula (TR)
Status części
Produkt wycofany z oferty Digi-Key
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
200mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
2,1Ohm przy 500mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,1V przy 250µA
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
17 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
150mW (Ta)
Temperatura robocza
150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia
USM
Obudowa / skrzynia
SC-70, SOT-323
Bazowy numer produktu
SSM3K7002
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Ze względu na chwilowe ograniczenia w zaopatrzeniu, nie możemy obecnie akceptować niezrealizowanych pozycji zamówienia, jak również niedostępny jest w tej chwili czas realizacji.