Name: SSM3K35CT,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K35CTL3FTR-ND
Price: 1.1931 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3K35CT,L3F
Numer produktu DigiKey	SSM3K35CTL3FTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3K35CTL3FCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3K35CTL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3K35CT,L3F
Opis	MOSFET N-CH 20V 180MA CST3
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 20 V 180mA (Ta) 100mW (Ta) Montaż powierzchniowy CST3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3K35CT,L3F Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (maks.) ±10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 9.5 pF @ 3 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 100mW (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia CST3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 180mA (Ta)	Obudowa / skrzynia SC-101, SOT-883
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,2V, 4V	Bazowy numer produktu SSM3K35
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3Ohm przy 50mA, 4V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 7 682

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)