Name: SSM3K357R,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3K357RLFTR-ND
Price: 2.4723 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3K357R,LF
Numer produktu DigiKey	SSM3K357RLFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3K357RLFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3K357RLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3K357R,LF
Opis	MOSFET N-CH 60V 650MA SOT23F
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 650mA (Ta) 1W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23F
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3K357R,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 1.5 nC @ 5 V
Seria π-MOSV	Vgs (maks.) ±12V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 60 pF @ 12 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1W (Ta)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23F
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 650mA (Ta)	Obudowa / skrzynia SOT-23-3, płaskie odprowadzenia
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 3V, 5V	Bazowy numer produktu SSM3K357
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,8Ohm przy 150mA, 5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 11 188

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)