Name: SSM3J56MFV,L3F
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J56MFVL3FTR-ND
Price: 1.7712 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J56MFV,L3F
Numer produktu DigiKey	SSM3J56MFVL3FTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J56MFVL3FCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J56MFVL3FDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J56MFV,L3F
Opis	MOSFET P-CH 20V 800MA VESM
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Montaż powierzchniowy VESM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J56MFV,L3F Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 390mOhm przy 800mA, 4,5V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs (maks.) ±8V
Seria U-MOSVI	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 100 pF @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Straty mocy (maks.) 150mW (Ta)
Status części Aktywny	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Typ FET Kanał P	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Obudowa dostawcy urządzenia VESM
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa / skrzynia SOT-723
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 800mA (Ta)	Bazowy numer produktu SSM3J56
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,2V, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 190 295

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)