Name: SSM3J35AFS,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J35AFSLFTR-ND
Price: 1.0209 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J35AFS,LF
Numer produktu DigiKey	SSM3J35AFSLFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J35AFSLFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J35AFSLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J35AFS,LF
Opis	MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 250mA (Ta) 150mW (Ta) Montaż powierzchniowy SSM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J35AFS,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,4Ohm przy 150mA, 4,5V
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 100µA
Seria U-MOSVII	Vgs (maks.) ±10V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 42 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 150mW (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza 150°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia SSM
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 250mA (Ta)	Obudowa / skrzynia SC-75, SOT-416
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,2V, 4,5V	Bazowy numer produktu SSM3J35

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 14 174

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)