Name: SSM3J168F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J168FLFTR-ND
Price: 2.3862 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J168F,LF
Numer produktu DigiKey	SSM3J168FLFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J168FLFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J168FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J168F,LF
Opis	MOSFET P-CH 60V 400MA S-MINI
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 60 V 400mA (Ta) 1,2W (Ta) Montaż powierzchniowy SOT-23-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J168F,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 2V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 3 nC @ 10 V
Seria U-MOSVI	Vgs (maks.) +20V, -16V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 82 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 1,2W (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza 150°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 60 V	Obudowa dostawcy urządzenia SOT-23-3
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 400mA (Ta)	Obudowa / skrzynia TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 4V, 10V	Bazowy numer produktu SSM3J168
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 1,9Ohm przy 100mA, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 10 971

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)