Name: SSM3J15F,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J15FLFTR-ND
Price: 0.8979 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J15F,LF
Numer produktu DigiKey	SSM3J15FLFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J15FLFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J15FLFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J15F,LF
Opis	MOSFET P-CH 30V 100MA S-MINI
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 30 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Montaż powierzchniowy S-Mini
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J15F,LF Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał P
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	100mA (Ta)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	2,5V, 4V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	12Ohm przy 10mA, 4V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,7V przy 100µA
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	9.1 pF @ 3 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	200mW (Ta)
Temperatura robocza	150°C
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	S-Mini
Obudowa / skrzynia	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Bazowy numer produktu	SSM3J15

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 19 510

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)