Name: SSM3J135TU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: SSM3J135TULFTR-ND
Price: 2.3862 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

SSM3J135TU,LF
Numer produktu DigiKey	SSM3J135TULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) SSM3J135TULFCT-ND - Taśma cięta (CT) SSM3J135TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	SSM3J135TU,LF
Opis	MOSFET P-CH 20V 3A UFM
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał P 20 V 3A (Ta) 500mW (Ta) Montaż powierzchniowy UFM
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	SSM3J135TU,LF Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 1V przy 1mA
Prod. Toshiba Semiconductor and Storage	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 4.6 nC @ 4.5 V
Seria U-MOSVI	Vgs (maks.) ±8V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 270 pF @ 10 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 500mW (Ta)
Typ FET Kanał P	Temperatura robocza 150°C
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 20 V	Obudowa dostawcy urządzenia UFM
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 3A (Ta)	Obudowa / skrzynia 3-SMD, odprowadzenia płaskie
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 1,5V, 4,5V	Bazowy numer produktu SSM3J135
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 103mOhm przy 1A, 4,5V

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 3 469

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)