Ustawienia
Szybka dostawa
Bezpłatna wysyłka
Incoterms
Typy płatności
Produkt z platformy handlowej
RN1911FETE85LF jest dostępne do zakupu, ale zwykle nie jest przechowywane w magazynie.
Dostępne zamienniki:
Bezpośrednie
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.
RN1911FETE85LF | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | RN1911FETE85LFTR-ND - Taśma i szpula (TR) |
Producent | |
Numer produktu producenta | RN1911FETE85LF |
Opis | TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Tranzystory - bipolarne (BJT) - układy pre-biased 2 NPN wstępnie spolaryzowany (podwójny) 50V 100mA 250MHz 100mW Montaż powierzchniowy ES6 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Atrybuty produktu
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Producent | Toshiba Semiconductor and Storage | |
Seria | - | |
Opakowanie | Taśma i szpula (TR) | |
Status części | Aktywny | |
Typ tranzystora | 2 NPN wstępnie spolaryzowany (podwójny) | |
Prąd - kolektora (Ic) (maks.) | 100mA | |
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.) | 50V | |
Rezystor - bazy (R1) | 10kOhm | |
Rezystor - emitera (R2) | - | |
Wzmocnienie stałoprądowe (hFE) (min.) @ Ic, Vce | 120 przy 1mA, 5V | |
Nasycenie Vce (maks.) przy Ib, Ic | 300mV przy 250µA, 5mA | |
Prąd - graniczny kolektora (maks.) | 100nA (ICBO) | |
Częstotliwość - przejścia | 250MHz | |
Moc - maks. | 100mW | |
Typ mocowania | Montaż powierzchniowy | |
Obudowa / skrzynia | SOT-563, SOT-666 | |
Obudowa dostawcy urządzenia | ES6 | |
Bazowy numer produktu |
Manufacturer Quote Required
This product requires a manufacturer-approved quote before it can be ordered. Orders must meet the manufacturer’s standard package quantity, may be subject to extended lead times, and cannot be canceled or returned. Quotes are typically processed within 3–5 business days after submission.
Zaloguj lub zarejestruj się, aby poprosić o wycenę
Polska