Name: RN1905FE,LF(CT
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1905FELF(CTTR-ND
Price: 1.0332 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

RN1905FE,LF(CT
Numer produktu DigiKey	RN1905FELF(CTTR-ND - Taśma i szpula (TR) RN1905FELF(CTCT-ND - Taśma cięta (CT) RN1905FELF(CTDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	RN1905FE,LF(CT
Opis	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Tranzystory - bipolarne (BJT) - układy pre-biased 2 NPN wstępnie spolaryzowany (podwójny) 50V 100mA 250MHz 100mW Montaż powierzchniowy ES6
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	RN1905FE,LF(CT Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Bipolarne (BJT) Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie spolaryzowane
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ tranzystora	2 NPN wstępnie spolaryzowany (podwójny)
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	100mA
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	50V
Rezystor - bazy (R1)	2,2kOhm
Rezystor - emitera (R2)	47kOhm
Wzmocnienie stałoprądowe (hFE) (min.) @ Ic, Vce	80 przy 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) przy Ib, Ic	300mV przy 250µA, 5mA
Prąd - graniczny kolektora (maks.)	500nA
Częstotliwość - przejścia	250MHz
Moc - maks.	100mW
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	SOT-563, SOT-666
Obudowa dostawcy urządzenia	ES6
Bazowy numer produktu	RN1905

Cena jednostkowa bez VAT:	0,84000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	1,03320 zł

RN1905FE,LF(CT