Name: RN1901FETE85LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: RN1901FETE85LFTR-ND
Price: 1.353 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

RN1901FETE85LF
Numer produktu DigiKey	RN1901FETE85LFTR-ND - Taśma i szpula (TR) RN1901FETE85LFCT-ND - Taśma cięta (CT) RN1901FETE85LFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	RN1901FETE85LF
Opis	TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA ES6
Standardowy czas realizacji przez producenta	40 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Tranzystory - bipolarne (BJT) - układy pre-biased 2 NPN wstępnie spolaryzowany (podwójny) 50V 100mA 250MHz 100mW Montaż powierzchniowy ES6
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Bipolarne (BJT) Układy tranzystorów bipolarnych, wstępnie spolaryzowane
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ tranzystora	2 NPN wstępnie spolaryzowany (podwójny)
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	100mA
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	50V
Rezystor - bazy (R1)	4,7kOhm
Rezystor - emitera (R2)	4,7kOhm
Wzmocnienie stałoprądowe (hFE) (min.) @ Ic, Vce	30 przy 10mA, 5V
Nasycenie Vce (maks.) przy Ib, Ic	300mV przy 250µA, 5mA
Prąd - graniczny kolektora (maks.)	100nA (ICBO)
Częstotliwość - przejścia	250MHz
Moc - maks.	100mW
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	SOT-563, SOT-666
Obudowa dostawcy urządzenia	ES6
Bazowy numer produktu	RN1901

Cena jednostkowa bez VAT:	1,10000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	1,35300 zł

RN1901FETE85LF