MT3S20P(TE12L,F) Toshiba Semiconductor and Storage | Półprzewodniki dyskretne

MT3S20P(TE12L,F) jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 8 446

Cena jednostkowa : 1,02000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 8 325

Cena jednostkowa : 1,68000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 635

Cena jednostkowa : 1,72000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 16 429

Cena jednostkowa : 1,90000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

MT3S20P(TE12L,F)
Numer produktu DigiKey	MT3S20P(TE12LF)TR-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	MT3S20P(TE12L,F)
Opis	RF TRANS NPN 12V 7GHZ PW-MINI
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Tranzystor RF NPN 12V 80mA 7GHz 1,8W Montaż powierzchniowy PW-MINI

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Bipolarne (BJT) Tranzystory bipolarne RF
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ tranzystora	NPN
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	12V
Częstotliwość - przejścia	7GHz
Współczynnik szumów (dB typ. przy f)	1,45dB przy 1GHz
Wzmocnienie	16,5dB
Moc - maks.	1,8W
Wzmocnienie stałoprądowe (hFE) (min.) @ Ic, Vce	100 przy 50mA, 5V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	80mA
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	TO-243AA
Obudowa dostawcy urządzenia	PW-MINI
Bazowy numer produktu	MT3S20