MT3S111TU,LF Toshiba Semiconductor and Storage | Półprzewodniki dyskretne

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

MT3S111TU,LF
Numer produktu DigiKey	MT3S111TULFTR-ND - Taśma i szpula (TR) MT3S111TULFCT-ND - Taśma cięta (CT) MT3S111TULFDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	MT3S111TU,LF
Opis	RF TRANS NPN 6V 10GHZ UFM
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Tranzystor RF NPN 6V 100mA 10GHz 800mW Montaż powierzchniowy UFM
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Bipolarne (BJT) Tranzystory bipolarne RF
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Nieaktualne
Typ tranzystora	NPN
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	6V
Częstotliwość - przejścia	10GHz
Współczynnik szumów (dB typ. przy f)	0.6dB - 0.85dB przy 500MHz - 1GHz
Wzmocnienie	12,5dB
Moc - maks.	800mW
Wzmocnienie stałoprądowe (hFE) (min.) @ Ic, Vce	200 przy 30mA, 5V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	100mA
Temperatura robocza	150°C (TJ)
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa / skrzynia	3-SMD, odprowadzenia płaskie
Obudowa dostawcy urządzenia	UFM
Bazowy numer produktu	MT3S111

Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 12 000

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ten produkt nie jest już produkowany, a jego zapasy nie będą uzupełniane po wyczerpaniu. Wyświetl Zamienniki.

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma i szpula (TR)