Name: HN4C51J(TE85L,F)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: HN4C51J(TE85LF)TR-ND
Price: 2.7429 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

HN4C51J(TE85L,F)
Numer produktu DigiKey	HN4C51J(TE85LF)TR-ND - Taśma i szpula (TR) HN4C51J(TE85LF)CT-ND - Taśma cięta (CT) HN4C51J(TE85LF)DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	HN4C51J(TE85L,F)
Opis	TRANS 2NPN 120V 0.1A SMV
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Tranzystory - bipolarne (BJT) - układy 2 NPN (podwójne), wspólna baza 120V 100mA 100MHz 300mW Montaż powierzchniowy SMV
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	HN4C51J(TE85L,F) Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Bipolarne (BJT) Układy tranzystorów bipolarnych	Wzmocnienie stałoprądowe (hFE) (min.) @ Ic, Vce 200 przy 2mA, 6V
Producent Toshiba Semiconductor and Storage	Moc - maks. 300mW
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Częstotliwość - przejścia 100MHz
Status części Aktywny	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Typ tranzystora 2 NPN (podwójne), wspólna baza	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - kolektora (Ic) (maks.) 100mA	Obudowa / skrzynia SC-74A, SOT-753
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.) 120V	Obudowa dostawcy urządzenia SMV
Nasycenie Vce (maks.) przy Ib, Ic 300mV przy 1mA, 10mA	Bazowy numer produktu HN4C51
Prąd - graniczny kolektora (maks.) 100nA (ICBO)

Zgłoś błąd informacji o produkcie

Dokumenty i media

Klasyfikacje eksportowe i środowiskowe

Dodatkowe zasoby

W magazynie: 20 739

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Taśma cięta (CT) & Digi-Reel®

* Do wszystkich zamówień Digi-Reel dodawana jest opłata 27,00 zł za przygotowanie szpuli.

Taśma i szpula (TR)