Name: GT50JR22(STA1,E,S)
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Price: 29.4462 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

GT50JR22(STA1,E,S)
Numer produktu DigiKey	264-GT50JR22(STA1ES)-ND
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Numer produktu producenta	GT50JR22(STA1,E,S)
Opis	IGBT 600V 50A TO-3P
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	IGBT 600 V 50 A 230 W Otwór przelotowy TO-3P(N)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory IGBT Tranzystory IGBT pojedyncze
Producent	Toshiba Semiconductor and Storage
Seria	-
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ IGBT	-
Napięcie - przebicia kolektor-emiter (maks.)	600 V
Prąd - kolektora (Ic) (maks.)	50 A
Prąd - impulsowy kolektora (Icm)	100 A
Vce (wł.) (maks.) przy Vge, Ic	2,2V przy 15V, 50A
Moc - maks.	230 W
Energia przełączania	-
Typ wejścia	Standard
Td (wł./wył.) przy 25°C	-
Warunki probiercze	-
Temperatura robocza	175°C (TJ)
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa / skrzynia	TO-3P-3, SC-65-3
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-3P(N)

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

W magazynie: 14

Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu

Ilość

Wszystkie ceny podano w PLN

Rurka

Ilość	Cena jednostkowa	Wartość
1	23,94000 zł	23,94 zł
25	14,06160 zł	351,54 zł
100	11,70610 zł	1 170,61 zł
500	9,99634 zł	4 998,17 zł

Opakowanie standardowe producenta

Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.