Name: CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-44351-2-ND
Price: 8.3025 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CSD19537Q3
Numer produktu DigiKey	296-44351-2-ND - Taśma i szpula (TR) 296-44351-1-ND - Taśma cięta (CT) 296-44351-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Texas Instruments
Numer produktu producenta	CSD19537Q3
Opis	MOSFET N-CH 100V 9.7A/50A 8VSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 50A (Ta) 2,8W (Ta), 83W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	CSD19537Q3 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,6V przy 250µA
Prod. Texas Instruments	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 21 nC @ 10 V
Seria NexFET™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1680 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 2,8W (Ta), 83W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 50A (Ta)	Obudowa / skrzynia 8-PowerTDFN
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu CSD19537
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 14,5mOhm przy 10A, 10V