Name: CSD19536KTT
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-47254-2-ND
Price: 25.9284 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CSD19536KTT
Numer produktu DigiKey	296-47254-2-ND - Taśma i szpula (TR) 296-47254-1-ND - Taśma cięta (CT) 296-47254-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Texas Instruments
Numer produktu producenta	CSD19536KTT
Opis	MOSFET N-CH 100V 200A DDPAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 200A (Ta) 375W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (DDPAK-3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	CSD19536KTT Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 3,2V przy 250µA
Prod. Texas Instruments	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 153 nC @ 10 V
Seria NexFET™	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 12000 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 375W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (DDPAK-3)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 200A (Ta)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 6V, 10V	Bazowy numer produktu CSD19536
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 2,4mOhm przy 100A, 10V