Name: CSD19534Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-43636-2-ND
Price: 6.6174 PLN
Availability: OutOfStock

CSD19534Q5A nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

Texas Instruments

W magazynie: 5 088

Cena jednostkowa : 8,67000 zł

Similar

Infineon Technologies

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 0,00000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CSD19534Q5A
Numer produktu DigiKey	296-43636-2-ND - Taśma i szpula (TR) 296-43636-1-ND - Taśma cięta (CT) 296-43636-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Texas Instruments
Numer produktu producenta	CSD19534Q5A
Opis	MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 44A (Tc) 3,2W (Ta), 63W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-VSONP (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	CSD19534Q5A Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Texas Instruments
Seria	NexFET™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	44A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	6V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	15,1mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	3,4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1680 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3,2W (Ta), 63W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-VSONP (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	CSD19534