Name: CSD16323Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 296-24522-2-ND
Price: 7.6998 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

CSD16323Q3
Numer produktu DigiKey	296-24522-2-ND - Taśma i szpula (TR) 296-24522-1-ND - Taśma cięta (CT) 296-24522-6-ND - Digi-Reel®
Producent	Texas Instruments
Numer produktu producenta	CSD16323Q3
Opis	MOSFET N-CH 25V 21A/60A 8VSON
Standardowy czas realizacji przez producenta	12 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 25 V 21A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta) Montaż powierzchniowy 8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	CSD16323Q3 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	Texas Instruments
Seria	NexFET™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	25 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	21A (Ta), 60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	3V, 8V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	4,5mOhm przy 24A, 8V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8.4 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	+10V, -8V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1300 pF @ 12.5 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-VSON-CLIP (3,3x3,3)
Obudowa / skrzynia	8-PowerTDFN
Bazowy numer produktu	CSD16323