Kanał N 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STW65N65DM2AG

Numer produktu DigiKey
497-16127-5-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
STW65N65DM2AG
Opis
MOSFET N-CH 650V 60A TO247
Standardowy czas realizacji przez producenta
20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 650 V 60A (Tc) 446W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STW65N65DM2AG Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
MDmesh™ DM2
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
650 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
60A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
50mOhm przy 30A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
5500 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
446W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
Motoryzacja
Kwalifikacja
AEC-Q101
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247-3
Obudowa / skrzynia
TO-247-3
Bazowy numer produktu
STW65
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

W magazynie: 509
Sprawdź dodatkowe produkty wprowadzane do magazynu
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
138,81000 zł38,81 zł
3023,06067 zł691,82 zł
12019,60883 zł2 353,06 zł
51018,16549 zł9 264,40 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:38,81000 zł
Cena jednostkowa z VAT:47,73630 zł