
STW35N65DM2 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 497-STW35N65DM2-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | STW35N65DM2 |
Opis | MOSFET N-CH 650V 32A TO247 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 16 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | STW35N65DM2 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 650 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 110mOhm przy 16A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5V przy 250µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 56.3 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±25V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 2540 pF @ 100 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 250W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 23,17000 zł | 23,17 zł |
| 10 | 15,54800 zł | 155,48 zł |
| 100 | 11,24170 zł | 1 124,17 zł |
| 600 | 9,24095 zł | 5 544,57 zł |
| 1 200 | 9,18248 zł | 11 018,98 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 23,17000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 28,49910 zł |











