Name: STW35N60DM2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STW35N60DM2-ND
Price: 24.9813 PLN
Availability: OutOfStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

STW35N60DM2
Numer produktu DigiKey	497-STW35N60DM2-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STW35N60DM2
Opis	MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STW35N60DM2 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	MDmesh™ DM2
Opakowanie	Rurka
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	28A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	110mOhm przy 14A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	54 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2400 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	210W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-247-3
Obudowa / skrzynia	TO-247-3
Bazowy numer produktu	STW35

Cena jednostkowa bez VAT:	20,31000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	24,98130 zł

STW35N60DM2