STW35N60DM2 nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

IPW65R125C7XKSA1
Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFH34N65X2
IXYS
W magazynie: 3 889
Cena jednostkowa : 33,57000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFR64N60Q3
IXYS
W magazynie: 30
Cena jednostkowa : 139,82000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFX44N60
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 58,55893 zł
Arkusz danych

Similar

IXFX48N60P
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 37,42207 zł
Arkusz danych

Similar

IXFX48N60Q3
IXYS
W magazynie: 38
Cena jednostkowa : 101,82000 zł
Arkusz danych

Similar

IXFX52N60Q2
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 54,77567 zł
Arkusz danych

Similar

IXKH30N60C5
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 16,10233 zł
Arkusz danych

Similar

IXKH35N60C5
IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

IXTH34N65X2
IXYS
W magazynie: 203
Cena jednostkowa : 30,39000 zł
Arkusz danych

Similar

SIHG28N60EF-GE3
Vishay Siliconix
W magazynie: 490
Cena jednostkowa : 25,68000 zł
Arkusz danych

Similar

SIHG33N60E-GE3
Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 25,82000 zł
Arkusz danych

Similar

TSM60NE069PW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
W magazynie: 295
Cena jednostkowa : 40,93000 zł
Arkusz danych

Similar

TSM60NE084PW C0G
Taiwan Semiconductor Corporation
W magazynie: 265
Cena jednostkowa : 36,11000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STW35N60DM2

Numer produktu DigiKey
497-STW35N60DM2-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
STW35N60DM2
Opis
MOSFET N-CH 600V 28A TO247
Standardowy czas realizacji przez producenta
20 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 28A (Tc) 210W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STW35N60DM2 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
MDmesh™ DM2
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
28A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
110mOhm przy 14A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
54 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2400 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
210W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247-3
Obudowa / skrzynia
TO-247-3
Bazowy numer produktu
STW35
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Ilość
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
119,54000 zł19,54 zł
3011,00100 zł330,03 zł
1209,12133 zł1 094,56 zł
5107,74265 zł3 948,75 zł
1 0207,37760 zł7 525,15 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:19,54000 zł
Cena jednostkowa z VAT:24,03420 zł