IXKH35N60C5 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


onsemi
W magazynie: 713
Cena jednostkowa : 28,82000 zł
Arkusz danych

Bezpośrednie


onsemi
W magazynie: 460
Cena jednostkowa : 31,61000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 423
Cena jednostkowa : 25,93000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 15,46000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 98
Cena jednostkowa : 19,79000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,12492 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 508
Cena jednostkowa : 21,61000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 233
Cena jednostkowa : 38,25000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 579
Cena jednostkowa : 25,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 30
Cena jednostkowa : 22,29000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 28,11000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 3
Cena jednostkowa : 33,54000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 35A (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXKH35N60C5

Numer produktu DigiKey
238-IXKH35N60C5-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXKH35N60C5
Opis
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 35A (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
100mOhm przy 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,9V przy 1,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2800 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
-
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AD
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.