IXKH35N60C5 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Bezpośrednie


onsemi
W magazynie: 519
Cena jednostkowa : 29,54000 zł
Arkusz danych

Bezpośrednie


onsemi
W magazynie: 610
Cena jednostkowa : 32,39000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 423
Cena jednostkowa : 27,38000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 15,85000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 253
Cena jednostkowa : 20,28000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 11,40090 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 508
Cena jednostkowa : 22,14000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 369
Cena jednostkowa : 40,77000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 581
Cena jednostkowa : 26,02000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 42
Cena jednostkowa : 22,84000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 30
Cena jednostkowa : 28,80000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 23
Cena jednostkowa : 34,37000 zł
Arkusz danych
TO-247-AD-EP-(H)
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXKH35N60C5

Numer produktu DigiKey
238-IXKH35N60C5-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXKH35N60C5
Opis
MOSFET N-CH 600V 35A TO247AD
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 35A (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
100mOhm przy 18A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,9V przy 1,2mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2800 pF @ 100 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
-
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AD
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.