IXKH30N60C5 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


IXYS
W magazynie: 203
Cena jednostkowa : 30,39000 zł
Arkusz danych

Bezpośrednie


Microchip Technology
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 16,33920 zł

Similar


onsemi
W magazynie: 713
Cena jednostkowa : 28,82000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 460
Cena jednostkowa : 31,61000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 230
Cena jednostkowa : 29,93000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 210
Cena jednostkowa : 18,25000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 15,46000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 98
Cena jednostkowa : 19,79000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 751
Cena jednostkowa : 20,54000 zł
Arkusz danych

Similar


STMicroelectronics
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 25,39000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 30
Cena jednostkowa : 22,29000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 28,11000 zł
Arkusz danych

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 3
Cena jednostkowa : 33,54000 zł
Arkusz danych
Kanał N 600 V 30A (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

IXKH30N60C5

Numer produktu DigiKey
IXKH30N60C5-ND
Producent
Numer produktu producenta
IXKH30N60C5
Opis
MOSFET N-CH 600V 30A TO247AD
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 600 V 30A (Tc) Otwór przelotowy TO-247AD
Arkusz danych
 Arkusz danych
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
125mOhm przy 16A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
3,5V przy 1,1mA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
2500 pF @ 10 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
-
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247AD
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.
Bez możliwości anulowania i zwrotu