STW120NF10 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

MFR Recommended


STMicroelectronics
W magazynie: 17 853
Cena jednostkowa : 20,76000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 21,46000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 39,14000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 32,39000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 347
Cena jednostkowa : 39,11000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 159
Cena jednostkowa : 51,32000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 54,18000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 70,62000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 25,19323 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 63,17000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 132,87000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 30,74000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 17,27353 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 81
Cena jednostkowa : 125,61000 zł
Arkusz danych
Kanał N 100 V 110A (Tc) 312W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STW120NF10

Numer produktu DigiKey
497-5166-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
STW120NF10
Opis
MOSFET N-CH 100V 110A TO247-3
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 100 V 110A (Tc) 312W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-3
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STW120NF10 Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
10,5mOhm przy 60A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
5200 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
312W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 175°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-247-3
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.