Name: STS1NK60Z
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-12798-2-ND
Price: 6.027 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STS1NK60Z
Numer produktu DigiKey	497-12798-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-12798-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-12798-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STS1NK60Z
Opis	MOSFET N-CH 600V 250MA 8SO
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 250mA (Tc) 2W (Tc) Montaż powierzchniowy 8-SOIC
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STS1NK60Z Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	SuperMESH™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	250mA (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	15Ohm przy 400mA, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	94 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	2W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	8-SOIC
Obudowa / skrzynia	8-SOIC (szerokość 0,154", 3,90mm)
Bazowy numer produktu	STS1NK60