
STQ2HNK60ZR-AP | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 497-12344-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-12344-3-ND - Taśma i skrzynka (TB) |
Producent | |
Numer produktu producenta | STQ2HNK60ZR-AP |
Opis | MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3 |
Standardowy czas realizacji przez producenta | 15 tygodnie |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 600 V 500mA (Tc) 3W (Tc) Otwór przelotowy TO-92-3 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | STQ2HNK60ZR-AP Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | ||
Opakowanie | Taśma cięta (CT) Taśma i skrzynka (TB) | |
Status części | Aktywny | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 600 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 10V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 4,8Ohm przy 1A, 10V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 4,5V przy 50µA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 15 nC @ 10 V | |
Vgs (maks.) | ±30V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 280 pF @ 25 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 3W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 150°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-92-3 | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 4,99000 zł | 4,99 zł |
| 10 | 3,14700 zł | 31,47 zł |
| 100 | 2,08400 zł | 208,40 zł |
| 500 | 1,62744 zł | 813,72 zł |
| 1 000 | 1,48038 zł | 1 480,38 zł |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 2 000 | 1,35667 zł | 2 713,34 zł |
| 4 000 | 1,25261 zł | 5 010,44 zł |
| 6 000 | 1,19962 zł | 7 197,72 zł |
| 10 000 | 1,14007 zł | 11 400,70 zł |
| 14 000 | 1,13216 zł | 15 850,24 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 4,99000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 6,13770 zł |

