STP7NK30Z STMicroelectronics | Półprzewodniki dyskretne

STP7NK30Z
Numer produktu DigiKey	STP7NK30Z-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STP7NK30Z
Opis	MOSFET N-CH 300V 5A TO220AB
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 300 V 5A (Tc) 50W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STP7NK30Z Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	SuperMESH™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	300 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	5A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	900mOhm przy 2,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	380 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	50W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220
Obudowa / skrzynia	TO-220-3
Bazowy numer produktu	STP7N

STP7NK30Z