STP20NM50FD nie jest dostępne w magazynie, jednak można złożyć zamówienie niezrealizowane.
Dostępne zamienniki:

Similar


Alpha & Omega Semiconductor Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 4,69309 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 15,04000 zł
Arkusz danych

Similar


onsemi
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 12,18716 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 393
Cena jednostkowa : 9,76000 zł
Arkusz danych

Similar


Infineon Technologies
W magazynie: 511
Cena jednostkowa : 6,02000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar


Vishay Siliconix
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 22,08000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 150
Cena jednostkowa : 36,65000 zł
Arkusz danych

Similar


IXYS
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 9,94063 zł

Similar


Renesas Electronics Corporation
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 19,15000 zł
Arkusz danych
Kanał N 500 V 20A (Tc) 192W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STP20NM50FD

Numer produktu DigiKey
497-6739-5-ND
Producent
Numer produktu producenta
STP20NM50FD
Opis
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Standardowy czas realizacji przez producenta
16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 500 V 20A (Tc) 192W (Tc) Otwór przelotowy TO-220
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STP20NM50FD Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
Seria
Opakowanie
Rurka
Status części
Aktywny
Typ FET
Technologia
Napięcie dren-źródło (Vdss)
500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
250mOhm przy 10A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
53 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
1380 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
192W (Tc)
Temperatura robocza
-65°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220
Obudowa / skrzynia
Bazowy numer produktu
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

0 w magazynie
Sprawdź czas realizacji
Zażądaj powiadomienia o stanie magazynowym
Wszystkie ceny podano w PLN
Rurka
Ilość Cena jednostkowa Wartość
129,31000 zł29,31 zł
5015,91640 zł795,82 zł
10014,62440 zł1 462,44 zł
50012,56060 zł6 280,30 zł
Opakowanie standardowe producenta
Uwaga: W przypadku zakupu produktu w ilości niższej od opakowania standardowego, rodzaj opakowania może ulec zmianie ze względu na usługi o wartości dodanej świadczone przez DigiKey.
Cena jednostkowa bez VAT:29,31000 zł
Cena jednostkowa z VAT:36,05130 zł