Name: STL8N6F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STL8N6F7TR-ND
Price: 5.1783 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STL8N6F7
Numer produktu DigiKey	497-STL8N6F7TR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-STL8N6F7CT-ND - Taśma cięta (CT) 497-STL8N6F7DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STL8N6F7
Opis	MOSFET N-CH 60V 36A POWERFLAT
Standardowy czas realizacji przez producenta	13 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 60 V 36A (Tc) 3W (Ta), 60W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerFlat™ (3,3x3,3)
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	STripFET™ F7
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	60 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	36A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	25mOhm przy 4A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	8 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	450 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	3W (Ta), 60W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerFlat™ (3,3x3,3)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	STL8