STL105NS3LLH7 STMicroelectronics | Półprzewodniki dyskretne

STL105NS3LLH7
Numer produktu DigiKey	497-14986-2-ND - Taśma i szpula (TR)
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STL105NS3LLH7
Opis	MOSFET N-CH 30V 105A POWERFLAT
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 30 V 105A (Tc) 62,5W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerFlat™ (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	DeepGATE™, STripFET™ VII
Opakowanie	Taśma i szpula (TR)
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	30 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	105A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	4,5V, 10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,9mOhm przy 13,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	1,2V przy 1mA (min.)
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	13.7 nC @ 4.5 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2110 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	62,5W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerFlat™ (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	STL105

STL105NS3LLH7