Name: STL100N10F7
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13649-2-ND
Price: 13.6407 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STL100N10F7
Numer produktu DigiKey	497-13649-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-13649-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-13649-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STL100N10F7
Opis	MOSFET N-CH 100V 80A POWERFLAT
Standardowy czas realizacji przez producenta	26 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 80A (Tc) 5W (Ta), 100W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerFlat™ (5x6)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STL100N10F7 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	DeepGATE™, STripFET™ VII
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	80A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7,3mOhm przy 19A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5680 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	5W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerFlat™ (5x6)
Obudowa / skrzynia	8-PowerVDFN
Bazowy numer produktu	STL100