Name: STH60N099DM9-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STH60N099DM9-2AGTR-ND
Price: 27.6012 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STH60N099DM9-2AG
Numer produktu DigiKey	497-STH60N099DM9-2AGTR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-STH60N099DM9-2AGCT-ND - Taśma cięta (CT) 497-STH60N099DM9-2AGDKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STH60N099DM9-2AG
Opis	MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	22 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 27A (Tc) 179W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STH60N099DM9-2AG Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 250µA
Prod. STMicroelectronics	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 44 nC @ 10 V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Vgs (maks.) ±30V
Status części Aktywny	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 2140 pF @ 400 V
Typ FET Kanał N	Straty mocy (maks.) 179W (Tc)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 27A (Tc)	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 99mOhm przy 13,5A, 10V