Name: STH150N10F7-2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14979-2-ND
Price: 19.1265 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STH150N10F7-2
Numer produktu DigiKey	497-14979-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-14979-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-14979-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STH150N10F7-2
Opis	MOSFET N-CH 100V 110A H2PAK-2
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 110A (Tc) 250W (Tc) Montaż powierzchniowy H2PAK-2
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STH150N10F7-2 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4,5V przy 250µA
Prod. STMicroelectronics	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 117 nC @ 10 V
Seria DeepGATE™, STripFET™ VII	Vgs (maks.) ±20V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 8115 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 250W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 175°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 100 V	Obudowa dostawcy urządzenia H2PAK-2
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 110A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu STH150
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 3,9mOhm przy 55A, 10V