STFI24N60M2 STMicroelectronics | Półprzewodniki dyskretne

STFI24N60M2
Numer produktu DigiKey	497-13598-5-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STFI24N60M2
Opis	MOSFET N CH 600V 18A TO281
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 18A (Tc) 30W (Tc) Otwór przelotowy TO-281 (I2PAKFP)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STFI24N60M2 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	MDmesh™ II Plus
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	18A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	190mOhm przy 9A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	29 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1060 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	30W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-281 (I2PAKFP)
Obudowa / skrzynia	TO-262-3 Full Pack, I2PAK
Bazowy numer produktu	STFI24N

Cena jednostkowa bez VAT:	26,38000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	32,44740 zł

STFI24N60M2