STFH40N60M2 STMicroelectronics | Półprzewodniki dyskretne

STFH40N60M2 jest przestarzałe i nie jest już produkowane.

Dostępne zamienniki:

Odpowiednik parametryczny

STMicroelectronics

W magazynie: 0

Cena jednostkowa : 22,69000 zł

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STFH40N60M2
Numer produktu DigiKey	STFH40N60M2-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STFH40N60M2
Opis	MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 34A (Tc) 40W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STFH40N60M2 Modele

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	MDmesh™ M2
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	34A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	88mOhm przy 17A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±25V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	2500 pF @ 100 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	40W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220FP
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	STFH40