STF5N52U jest przestarzałe i nie jest już produkowane.
Dostępne zamienniki:

Similar

2SK3199
Sanken Electric USA Inc.
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 5,13576 zł
Arkusz danych

Similar

TK4A53D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 0
Cena jednostkowa : 0,00000 zł
Arkusz danych

Similar

TK5A55D(STA4,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage
W magazynie: 2
Cena jednostkowa : 6,86000 zł
Arkusz danych
Wyświetl i porównaj wszystkie zamienniki
Kanał N 525 V 4,4A (Tc) 25W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FP
Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STF5N52U

Numer produktu DigiKey
497-12582-5-ND
Producent
STMicroelectronics
Numer produktu producenta
STF5N52U
Opis
MOSFET N-CH 525V 4.4A TO220FP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis
Kanał N 525 V 4,4A (Tc) 25W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FP
Arkusz danych
 Arkusz danych
Modele EDA/CAD
STF5N52U Modele
Atrybuty produktu
Typ
Opis
Wybierz wszystko
Kategoria
Prod.
STMicroelectronics
Seria
UltraFASTmesh™
Opakowanie
Rurka
Status części
Nieaktualne
Typ FET
Kanał N
Technologia
MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)
525 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C
4,4A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)
10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs
1,5Ohm przy 2,2A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id
4,5V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs
16.9 nC @ 10 V
Vgs (maks.)
±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds
529 pF @ 25 V
Charakterystyka FET
-
Straty mocy (maks.)
25W (Tc)
Temperatura robocza
-55°C - 150°C (TJ)
Klasa
-
Kwalifikacja
-
Typ mocowania
Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia
TO-220FP
Obudowa / skrzynia
TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu
STF5N
Pytania i odpowiedzi dotyczące produktów

Zobacz, o co pytają inżynierowie, zadawaj własne pytania lub pomagaj innym członkom społeczności inżynierów DigiKey

Przestarzałe
Ten produkt nie jest już produkowany. Wyświetl Zamienniki.