STF110N10F7 STMicroelectronics | Półprzewodniki dyskretne

STF110N10F7
Numer produktu DigiKey	497-STF110N10F7-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STF110N10F7
Opis	MOSFET N-CH 100V 45A TO220FP
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 100 V 45A (Tc) 30W (Tc) Otwór przelotowy TO-220FP
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STF110N10F7 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	DeepGATE™, STripFET™ VII
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	100 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	45A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	7mOhm przy 22,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±20V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	5117 pF @ 50 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	30W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 175°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	TO-220FP
Obudowa / skrzynia	TO-220-3, pełny pakiet
Bazowy numer produktu	STF11

STF110N10F7