STD3NK50Z-1 STMicroelectronics | Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze

STD3NK50Z-1
Numer produktu DigiKey	497-19145-ND
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STD3NK50Z-1
Opis	MOSFET N-CH 500V 2.3A IPAK
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 500 V 2,3A (Tc) 45W (Tc) Otwór przelotowy IPAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STD3NK50Z-1 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	SuperMESH™
Opakowanie	Rurka
Status części	Nieaktualne
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	500 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	2,3A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	3,3Ohm przy 1,15A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 50µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	280 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	45W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Otwór przelotowy
Obudowa dostawcy urządzenia	IPAK
Obudowa / skrzynia	TO-251-3 krótkie odpr, IPAK, TO-251AA
Bazowy numer produktu	STD3N

STD3NK50Z-1