Name: STB57N65M5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-13087-2-ND
Price: 51.8937 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STB57N65M5
Numer produktu DigiKey	497-13087-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-13087-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-13087-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STB57N65M5
Opis	MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 650 V 42A (Tc) 250W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STB57N65M5 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 250µA
Prod. STMicroelectronics	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 98 nC @ 10 V
Seria MDmesh™ V	Vgs (maks.) ±25V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 4200 pF @ 100 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 250W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 650 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 42A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu STB57
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 63mOhm przy 21A, 10V