Name: STB26NM60N
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-10985-2-ND
Price: 37.0107 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STB26NM60N
Numer produktu DigiKey	497-10985-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-10985-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-10985-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STB26NM60N
Opis	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 20A (Tc) 140W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STB26NM60N Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 4V przy 250µA
Prod. STMicroelectronics	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 60 nC @ 10 V
Seria MDmesh™ II	Vgs (maks.) ±30V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 1800 pF @ 50 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 140W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 600 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 20A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu STB26
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 165mOhm przy 10A, 10V