Name: STB11NM80T4
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-STB11NM80T4TR-ND
Price: 37.146 PLN
Availability: InStock

Potrzebujesz pomocy?

Twoja opinia

Informacje o DigiKey Marketplace Sprzedawaj na DigiKey.com Kariera Mapa serwisu Rozwiązania cyfrowe Serwis informacyjny

Pomoc i wsparcie Status zamówienia Stawki i opcje wysyłek Zwroty i zagadnienia dotyczące zamawiania

Chat (+48) 22 53 64 114 poland.support@digikey.com Co-Browse

STB11NM80T4
Numer produktu DigiKey	497-STB11NM80T4TR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-STB11NM80T4CT-ND - Taśma cięta (CT) 497-STB11NM80T4DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STB11NM80T4
Opis	MOSFET N-CH 800V 11A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	14 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 800 V 11A (Tc) 150W (Tc) Montaż powierzchniowy D2PAK
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STB11NM80T4 Modele

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	MDmesh™
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	800 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	11A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	400mOhm przy 5,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	43.6 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	1630 pF @ 25 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	150W (Tc)
Temperatura robocza	-65°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	D2PAK
Obudowa / skrzynia	TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Bazowy numer produktu	STB11

Cena jednostkowa bez VAT:	30,20000 zł
Cena jednostkowa z VAT:	37,14600 zł

STB11NM80T4