Name: STB10N95K5
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-14971-2-ND
Price: 20.0121 PLN
Availability: InStock

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

STB10N95K5
Numer produktu DigiKey	497-14971-2-ND - Taśma i szpula (TR) 497-14971-1-ND - Taśma cięta (CT) 497-14971-6-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	STB10N95K5
Opis	MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
Standardowy czas realizacji przez producenta	18 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 950 V 8A (Tc) 130W (Tc) Montaż powierzchniowy TO-263 (D2PAK)
Arkusz danych	Arkusz danych
Modele EDA/CAD	STB10N95K5 Modele

Atrybuty produktu

Filtruj podobne produkty

Pokaż puste atrybuty

Kategoria Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze	Vgs(th) (maks.) przy Id 5V przy 100µA
Prod. STMicroelectronics	Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs 22 nC @ 10 V
Seria SuperMESH5™	Vgs (maks.) ±30V
Opakowanie Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®	Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds 630 pF @ 100 V
Status części Aktywny	Straty mocy (maks.) 130W (Tc)
Typ FET Kanał N	Temperatura robocza -55°C - 150°C (TJ)
Technologia MOSFET (tlenek metalu)	Typ mocowania Montaż powierzchniowy
Napięcie dren-źródło (Vdss) 950 V	Obudowa dostawcy urządzenia TO-263 (D2PAK)
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C 8A (Tc)	Obudowa / skrzynia TO-263-3, D2PAK (2 odpr. + wypust), TO-263AB
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) 10V	Bazowy numer produktu STB10
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs 800mOhm przy 4A, 10V