Name: ST8L60N065DM9
Brand: STMicroelectronics
SKU: 497-ST8L60N065DM9TR-ND
Price: 30.8361 PLN
Availability: InStock

Nowy produkt

Ilustracja ma jedynie charakter poglądowy. Dokładne specyfikacje podano na arkuszu danych produktu.

ST8L60N065DM9
Numer produktu DigiKey	497-ST8L60N065DM9TR-ND - Taśma i szpula (TR) 497-ST8L60N065DM9CT-ND - Taśma cięta (CT) 497-ST8L60N065DM9DKR-ND - Digi-Reel®
Producent	STMicroelectronics
Numer produktu producenta	ST8L60N065DM9
Opis	N CHANNEL 600V 51MOHM TYP 39A
Standardowy czas realizacji przez producenta	16 tygodnie
Numer referencyjny klienta
Szczegółowy opis	Kanał N 600 V 39A (Tc) 202W (Tc) Montaż powierzchniowy PowerFlat™ (8x8) HV
Arkusz danych	Arkusz danych

Atrybuty produktu

Typ	Opis	Wybierz wszystko
Kategoria	Półprzewodniki dyskretne Tranzystory Tranzystory FET, MOSFET Tranzystory FET, MOSFET pojedyncze
Prod.	STMicroelectronics
Seria	ECOPACK®
Opakowanie	Taśma i szpula (TR) Taśma cięta (CT) Digi-Reel®
Status części	Aktywny
Typ FET	Kanał N
Technologia	MOSFET (tlenek metalu)
Napięcie dren-źródło (Vdss)	600 V
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C	39A (Tc)
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.)	10V
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs	65mOhm przy 19,5A, 10V
Vgs(th) (maks.) przy Id	4,5V przy 250µA
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs	66 nC @ 10 V
Vgs (maks.)	±30V
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds	3350 pF @ 400 V
Charakterystyka FET	-
Straty mocy (maks.)	202W (Tc)
Temperatura robocza	-55°C - 150°C (TJ)
Klasa	-
Kwalifikacja	-
Typ mocowania	Montaż powierzchniowy
Obudowa dostawcy urządzenia	PowerFlat™ (8x8) HV
Obudowa / skrzynia	4-PowerVDFN