
SCTWA60N120G2-4 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | 497-SCTWA60N120G2-4-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SCTWA60N120G2-4 |
Opis | SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Otwór przelotowy TO-247-4 |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SCTWA60N120G2-4 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Ostatnio kupiono | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 18V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 52mOhm przy 30A, 18V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 5V przy 1mA | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 94 nC @ 18 V | |
Vgs (maks.) | +22V, -10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1969 pF @ 800 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 388W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 200°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | TO-247-4 | |
Obudowa / skrzynia |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 64,67000 zł | 64,67 zł |
| 10 | 51,41600 zł | 514,16 zł |
| 30 | 47,53967 zł | 1 426,19 zł |
| 120 | 44,07858 zł | 5 289,43 zł |
| 270 | 42,59778 zł | 11 501,40 zł |
| 510 | 41,65080 zł | 21 241,91 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 64,67000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 79,54410 zł |

