


SCTWA30N120 | |
|---|---|
Numer produktu DigiKey | SCTWA30N120-ND |
Producent | |
Numer produktu producenta | SCTWA30N120 |
Opis | IC POWER MOSFET 1200V HIP247 |
Numer referencyjny klienta | |
Szczegółowy opis | Kanał N 1200 V 45A (Tc) 270W (Tc) Otwór przelotowy HiP247™, długie odprowadzenia |
Arkusz danych | Arkusz danych |
Modele EDA/CAD | SCTWA30N120 Modele |
Typ | Opis | Wybierz wszystko |
|---|---|---|
Kategoria | ||
Prod. | ||
Seria | - | |
Opakowanie | Rurka | |
Status części | Ostatnio kupiono | |
Typ FET | ||
Technologia | ||
Napięcie dren-źródło (Vdss) | 1200 V | |
Prąd - ciągły drenu (Id) przy 25°C | ||
Napięcie sterujące (maks. Rds wł., min. Rds wł.) | 20V | |
Rds wł. (maks.) przy Id, Vgs | 100mOhm przy 20A, 20V | |
Vgs(th) (maks.) przy Id | 3,5V przy 1mA (typ.) | |
Ładunek bramki (Qg) (maks.) przy Vgs | 105 nC @ 20 V | |
Vgs (maks.) | +25V, -10V | |
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) przy Vds | 1700 pF @ 400 V | |
Charakterystyka FET | - | |
Straty mocy (maks.) | 270W (Tc) | |
Temperatura robocza | -55°C - 200°C (TJ) | |
Klasa | - | |
Kwalifikacja | - | |
Typ mocowania | Otwór przelotowy | |
Obudowa dostawcy urządzenia | HiP247™, długie odprowadzenia | |
Obudowa / skrzynia | ||
Bazowy numer produktu |
| Ilość | Cena jednostkowa | Wartość |
|---|---|---|
| 1 | 92,20000 zł | 92,20 zł |
| 10 | 74,13000 zł | 741,30 zł |
| 30 | 68,84467 zł | 2 065,34 zł |
| 120 | 64,12992 zł | 7 695,59 zł |
| 270 | 62,11222 zł | 16 770,30 zł |
| Cena jednostkowa bez VAT: | 92,20000 zł |
|---|---|
| Cena jednostkowa z VAT: | 113,40600 zł |


